技术编号:8074630
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法,包括如下工序a)制备RE123相和RE211相的粉末;b)按RE123+(0.3~1.5)wt%CeO2的配比制备第一前驱体;c)按RE123+30mol%RE211+(0.3~1.5)wt%CeO2的配比制备第二前驱体;c)籽晶放置在第二前驱体的上表面,第二前驱体放置在第一前驱体的上表面;d)将工序c)所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单,通过在第二先驱体内添加RE211相,有效抑制高温熔融状态下薄膜籽晶中稀土元素的溶解和扩...
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