技术编号：8075063
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及一种。在放肩工艺中，设定放肩时晶升速度为40-80mm/hr，设定放肩时的热场温度降幅为0-60sp，控制放肩长度为100-130mm，顶角角度为40°-80°。其检测方法取样片在抛光液中抛光3-5min，在扩散炉温度为850℃中恒温40min，缓慢冷却，在腐蚀液中腐蚀3-5分钟，然后用水处理干净，即可裸眼从硅片表面观测出单晶头部漩涡缺陷情况。通过改变直拉单晶生产工艺，采取调整放肩时的晶升速度和温度降幅来使单晶生长固液界面提前翻转，降低了单晶头部的漩涡缺陷长度，从而解决单晶漩涡缺陷问题，提高了单晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。