技术编号:8076019
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及单晶硅片表面加工工艺,特别涉及。采用HF,HNO3,CH3COOH的混合酸液进行实际加工过程中,用现有技术中公开报导硅片酸蚀刻工艺及相关技术资料进行双面反射率酸腐片的腐蚀加工,能一次性的完成两次腐蚀,所获得酸腐片的表面并无差异,而且该工艺受温度影响较小,便于生产实施,以通过工艺控制,可进行批量生产加工,而且质量稳定,节约大量加工成本,同时也达到了使用要求。专利说明技术领域[0001]本发明涉及单晶硅片表面加工工艺,特别涉及。背景技术[0002]近年来,随着半导体行业的高速发展和激烈的市场竞争为了降...
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