技术编号：80820
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及集成电路的制造。特别是本发明涉及在集成电路制作过程中在衬底上形成硅石污斑的方法，及硅石污斑测试结构及其制造方法。 背景技术在生产半导体集成电路时，晶片在加工过程中时常要使用湿化学试剂。例如，有些加工过程需要把已构图的晶片浸入湿的、液体化学试剂中进行腐蚀。在晶片的暴露部分被湿化学试剂腐蚀掉后，将晶片取出，再用去离子水清洗，然后干燥。 清洗和干燥后，发现在晶片表面有时会出现硅石污斑。硅石污斑是由清洗液中的溶解二氧硅产生的，它们在干燥过程中又重新淀积在晶片表面上。如果晶片在清洗和干燥后，留下了足够厚...
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