技术编号：8082239
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及层，具体地涉及氮化镓或镓和其他金属混合氮化物单晶厚层，以及它们的制备方法。本发明还涉及包括这样一些层的电子或光电子设备。本发明的技术领域一般可确定为在基体上制备基于氮化物的半导体材料层的技术领域。以元素周期表第III至V族元素氮化物为主要成分的半导体材料，在电子和光电子领域中占有和将占有越来越重要的地位。这些以氮化物为基础的半导体材料的应用范围事实上是广谱的，可从激光二极管延伸直到通过紫外光探测器，能在高频和高温下运行的晶体管，表面声波设备和电光二极管(DEL)。在这些组件中，氮化物生长最通常使用...
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