技术编号：8087204
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要一种水平砷化镓单晶生长用籽晶腔及包括该籽晶腔的石英舟，该籽晶腔具有头部和尾部，且该头部至该尾部逐渐加宽，而使该籽晶腔腔体的水平截面呈梯形。该石英舟还包括放肩部分、等径部分、舟尾部分。在水平砷化镓单晶的生长过程中，使用本实用新型，可以延长放肩过程，进而可以有效降低单晶头部位错密度，提高晶体质量。专利说明水平砷化镓单晶生长用籽晶腔及包括该籽晶腔的石英舟技术领域[0001]本实用新型涉及一种晶体生长装置，特别是一种水平砷化镓单晶生长用籽晶腔及包括该籽晶腔的石英舟。背景技术[0002]水平砷化镓单晶以其位错密度低、...
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