技术编号：8089478
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本实用新型涉及碳化硅晶体制备领域，特别涉及一种用于制备碳化硅晶体的坩埚。包括坩埚上盖、坩埚底和挡板，所述坩埚上盖设置在所述坩埚底的上部，所述坩埚上盖与所述坩埚底形成容纳腔，所述挡板设置在所述容纳腔内，且所述挡板的边缘与所述坩埚底的侧壁紧密接触；所述挡板上设有通孔。本实用新型的技术方案通过在坩埚挡板上设置通孔，并根据所需掺杂的浓度和掺杂分布情况，对通孔的数量、位置、直径以及挡板的厚度进行调整，使晶体生长过程中沉积入晶体内的掺杂剂浓度保持基本恒定，提高晶体电阻率轴向和径向均匀性。专利说明一种用于制备碳化硅晶体的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。