技术编号:8090306
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要用于溶液生长法的制造装置。该制造装置(10)包括籽晶架(28)和坩埚(14)。籽晶架(28)具有下端表面,该下端表面上附着有SiC籽晶(32)。坩埚(14)容纳有SiC溶液(15)。坩埚(14)包括圆柱形部分(34)、底部(36)和内盖(38)。底部(36)位于圆柱形部分(34)的下端。内盖(38)设置在圆柱形部分(34)中。内盖(38)具有通孔(40),当SiC溶液容纳在坩埚(14)中时,所述内盖(38)位于所述SiC溶液(15)的液面下方。专利说明用于通过溶液生长法制造S i C单晶的装置、以及用于使用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。