技术编号：8091089
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明提供了一种生长五氧化三钛（Ti3O5）多晶的垂直温梯法生长方法，将TiO2和Ti按Ti3O5化学组成配料，混合均匀、压块，装入坩埚中，坩埚转移至垂直温梯炉内，对整个系统升温并抽真空至10-3-10-4Pa，当炉温达到1400-1700℃时充入惰性保护气体Ar气，继续升温至1800-1850℃的范围内，保温3-6小时，使原料熔化充分，再以15-30℃/小时的速率缓慢降温，得到晶体。本法生产效率高，成本低，适合大规模工业化生产。专利说明技术领域[0001]本发明涉及一种晶体的垂直温梯法生长方法，采用垂直温...
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