技术编号:8091692
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要一种无温度信号处理开环功率自控晶体生长控制方法,包括放肩工艺步骤的功率开环控制系统和等径工艺步骤的功率开环控制系统,采用功率直控模式,完全避免了温度信号测试仪的信号取值与处理,直接采用功率控制模块进行闭环控制模式,与直径拉速闭环控制模式相辅相成,形成独特的晶体功率控制模式,从而有效解决单晶硅棒生长过程中的异常功率波动及温度冲击导致晶体生长失败的情况,较大地提高晶体硅棒连续化,提高生产效率,提高了抗干扰性能,降低了生产成本(约25%)的同时大幅度提高了产品成品率(约32%)。专利说明技术领域[0001]本发明...
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