技术编号：8091978
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了一种化合物半导体大面积气相外延（VPE）用的气体喷头喷口交叉密排式分布结构，其特征为利用惰性气体喷口将第一前驱物喷口和第二前驱物喷口隔离开来，使不同的前驱物在喷口附近相互分离，防止它们在喷口附近发生混合起化学反应导致喷口污染；各个喷口相互独立并且相互交叉排布，使两种前驱物喷出进入混合起反应区域后，便较快均匀混合，形成均匀浓度、流场。从而显著地改善化合物半导体大面积气相外延沉积的均匀性，同时也扩大了外延生长工艺的调空范围，便于调控。专利说明一种化合物半导体大面积气相外延用喷口分布方式技术领域[00...
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