技术编号:8092403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了,属于单晶生长技术领域,主要技术方案是在负压条件下,生长锗单晶工艺包括抽真空、检漏,熔化、恒压,降温、稳定,引晶,缩颈,放肩,转肩,等径生长,收尾,退火,降温、冷却。利用该方法生长的镓重掺杂低位错锗单晶,位错密度小于1000/cm2,排除了锗熔体表面的氧化物浮渣,有效降低了锗单晶中的位错密度和生产成本,成功生长出大尺寸镓重掺杂低位错锗单晶,满足第三代锗衬底化合物半导体叠层电池[GaInP/Ga(In)As/Ge]和半导体微纳电子器件对超薄锗衬底片的电学性能和完整性要求。专利说明技术领域[0001...
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