技术编号:8093993
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明为一种大尺寸掺铈铝酸钇闪烁晶体的生长工艺。该工艺采用圆弧底型铱金坩埚作发热体,晶体的原料包括纯度为99.999%的CeO2、纯度为99.999%的Y2O3、纯度为99.995%的Al2O3。以YAP基质晶体作籽晶,采用中频感应加热提拉法生长不同浓度的掺铈铝酸钇闪烁晶体。本发明通过采用圆弧底型铱金坩埚及相应的保温结构,以及设置适合的生长工艺参数,并采取抽气降温的特殊方式,解决了掺铈铝酸钇(CeYAP)晶体易产生相变、开裂的问题;还可提高晶体的完整率及利用率,进而降低生长成本。本发明提供了一种获得大尺寸(...
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