技术编号:8094923
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要,在炉体内下部设有石墨底座,在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩埚,在炉体内位于坩埚周边设有与系统控制装置相接的加热体,在炉体上方有与供气装置相接的吹气管,吹气管的出气端头朝向坩埚内侧的底面并分布在坩埚的中心与坩埚内侧面之间。向坩埚内装入多晶硅料,关闭炉体的腔室,抽高真空,真空度小于0.1Pa;加温熔化;长晶;通过供气装置利用吹气管向硅液顶部先后吹热和冷的保护气体,使熔硅向坩埚的中心和边缘聚集,形成凸起,然后凝固,冷却至出炉温度后出炉,去除高密杂质的凸起部分。具有提高出成率和降低成本的优点。专利说明 技术领域...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。