技术编号:8095098
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明提供,所述方法包括如下步骤(1)以单晶硅片为衬底;(2)在单晶硅片衬底抛光面上利用磁控溅射方法沉积一层石墨过渡层,石墨过渡层厚度为20-100nm;(3)在石墨过渡层上利用化学气相沉积的方法制备锗薄膜,厚度为20-100μm。本发明的方法将石墨作为硅和锗之间的过渡层,不仅可以消除硅和锗之间的晶格失配,还可以减小由于热膨胀系数不匹配造成的锗薄膜质量的下降,降低锗薄膜的缺陷密度。本发明的方法利用磁控溅射方法、化学气相沉积法制备出锗薄膜,用于后续多节叠层电池的制作,大幅度的降低多节太阳能电池的生产成本,提高...
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