技术编号:8095108
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明提供一种。在基底金属层(2a)上形成第1镀敷掩模(8),接下来在从第1镀敷掩模(8)露出的基底金属层(2a)上形成主导体层(2b),接下来在它们之上形成第2镀敷掩模(9),接下来在从第2镀敷掩模(9)露出的主导体层(2b)的上表面覆着镀敷金属层(7),接下来,在除去第1以及第2镀敷掩模(8、9)后,蚀刻除去未覆着主导体层(2b)的部分的基底金属层(2a),最后形成阻焊剂层(3)。专利说明 技术领域 [0001]本发明涉及用于搭载半导体集成电路元件等的半导体元件的。 背景技术 [0002]用于搭...
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