技术编号:8095272
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了。通过化学预处理工艺,在多晶硅片表面生成1nm-30nm的SiO2层,改善制绒工序硅片绒面的均匀性以及表面清洁度,此方法可显著提高太阳能电池的光电转换效率。专利说明-种可提高光电转换效率的多晶括片预处理方法 技术领域 [0001] 本发明设及一种可提高光电转换效率的多晶娃片预处理方法,属于太阳能电池技 术领域。 背景技术 [0002] 光伏发电是当前利用太阳能的主要方式之一,太阳能光伏发电因其清洁、安全、便 利、高效等特点,已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。太阳能电池,也称 光...
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