技术编号:8095521
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及采用导模法一即导模法晶体生长技术生长3〃 X9〃大尺寸片状氧化铝单晶体材料的工艺及方法;该晶体材料是具有一系列优良的物理、化学性能,电学、光学性能,机械、热力学性能的功能晶体材料,在许多高科技领域有着非常广泛的应用。背景技术高性能氧化铝单晶体具有高熔点(2050°C )、高硬度(莫氏9级),高摩擦系数,高透光性,高绝缘性等一系列优良的物理性能和耐高温、耐腐蚀等最稳定的化学性能,可作为特殊环境中应用的窗口材料,特殊功能应用的衬底材料、外延基片及超导基片等,是国防工业及尖端科学不可缺少的功能晶体材料之...
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