技术编号：8097437
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了一种用钼坩埚进行掺铈硅酸钇镥闪烁晶体生长工艺，属于闪烁晶体制备技术领域；所述闪烁晶体生长工艺包含如下步骤（a）将固相反应料装入钼坩埚中；（b）将坩埚放入真空炉，抽真空至炉内压力≤10Pa；（c）炉内充流动的弱还原性保护气体；（d）炉内升温，并在升温过程中至少进行一次换气，所述换气包括重新将炉内抽真空至压力≤10Pa，再向炉内充流动的弱还原性保护气体；（e）炉内继续升温至固相反应料熔化，进行晶体生长；本发明LYSO闪烁晶体工艺，克服了工艺难题，能使钼坩埚既能抗氧化又能抗熔融状态LYSO原料的侵蚀，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。