技术编号:8097931
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明涉及一种甲胺卤化铅酸盐化合物大尺寸晶体生长方法及装置。所述的晶体生长方法为底部籽晶溶液降温法,按照化学计量比将原料CH3NH2、Pb(CH3COOH)2·3H2O依次加入到HX(X为卤素)溶液中,得到沉淀,不断搅拌,加热,使其完全溶解,得到澄清的溶液,降温至溶液饱和点,然后下入籽晶,缓慢降温进行晶体生长,生长周期一个月左右。本发明还提供大尺寸晶体的生长装置。制备的CH3NH3PbX3晶体在紫外-可见光区具有很好吸光范围,不潮解,具有很好的稳定性;可应用于太阳能电池、光电等领域;本方法较高温溶液挥发法更...
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