技术编号:8098584
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本发明公开了,涉及直拉单晶硅技术领域,它包括加料、熔化、稳温、引晶、放肩、等径生长和收尾等八个步骤,本方法在引晶过程中,调整埚位使得硅液液面距导流筒的距离为28~32mm,该方法操作简便,易于实现,它可以有效减少结晶过程中可能出现的晶体缺陷,降低直拉单晶硅中的黑芯片和黑角片问题,显著提高单晶的质量和寿命,避免由于产品质量缺陷造成的退货,为企业节约了不必要的资金浪费。专利说明 技术领域 [0001] 本发明涉及直拉单晶硅技术领域。 背景技术 [0002] 太阳能是未来最重要的绿色能源之一,作为高效率太...
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