技术编号:8100883
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本实用新型公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点,对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测,并通过对控温点温度参数的调整,实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生长系统内管壁汞珠分布的变化和非稳定的汞回流效应对外延工艺中外延温度变化过程的干扰,有效提高浸渍式碲镉汞液相外延工艺的可重复性。专利说明一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置技术领域[0001]本专利涉及一种碲镉汞液相外延设备,具体涉及一种用于浸溃式碲镉汞液相外延的温度控制装置,它适用于批量...
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