技术编号：8106416
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本实用新型涉及一种化合物半导体生长装置，属于半导体材料生长工艺技术领域。其特征是至少包括炉架、生长炉体、装载生长材料的石英坩埚、坩埚移动机构、上下恒温电阻丝加热炉、电阻丝、生长炉移动机构，生长炉体在炉架上平面内放置，生长炉体为一侧开口的管状结构，上下恒温电阻丝加热炉也为管状结构，上下恒温电阻丝加热炉外径小于生长炉体的内径，可使上下恒温电阻丝加热炉在生长炉体内移动；在上下恒温电阻丝加热炉一侧连接有生长炉移动机构；上下恒温电阻丝加热炉中心管道与坩埚移动机构活动连接，坩埚移动机构放置石英坩埚。该装置能实现化合物晶...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。