技术编号：8106732
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及制造半导体衬底的方法，所述方法包括通过采用助熔剂的助熔工艺来生长III族氮化物基化合物半导体晶体；涉及通过所述制造方 法制造的用于电子器件的半导体衬底；涉及电子器件；涉及晶体管；涉及 光学器件衬底；涉及半导体发光器件；和涉及半导体感光器。如本文所用的，术语"电子器件"包括由晶体管、二极管等形成的包括 半导体晶体层的半导体器件(例如，放大器、开关器件和整流器件)。术语"电子器件，，还包括具有这种半导体晶体层以及选自电阻器、电容器和感 应器中至少一种的半导体集成电路。前述晶体管可以是场效应晶体管或X5...
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