技术编号：8106793
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及通过溶液法制造碳化硅单晶的方法.2. 相关技术描述因为碳化硅具有比硅(Si)更大的能带隙，所以已经提出了各种制造技术 用于制造适合作为半导体材料的高品质单晶SiC。尽管已经尝试了不同类 型的制造单晶SiC的方法，但是升华法仍是目前普遍采用的方法。虽然升 华法具有高生长速率的特征，但其缺点在于具有诸如微管的缺陷和诸如多 晶结构的晶体结构干扰。相反，溶液法虽然具有相对緩慢的生长速率，但 是由于其没有这些缺点因而正在引起关注。在溶液法中，在石墨坩埚内的熔融硅中产生从熔融硅的内部向熔融硅 的表面降温的温度...
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