技术编号：8108950
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及适用于以单晶硅片为对象的COP (Crystal Originated Particle晶体原生颗粒)产生原因的判定方法。背景技术作为半导体器件的基板的单晶硅片，通过从硅的单晶块切割，经大量 物理的、化学的、以及热处理来制造。硅的单晶块一般通过使籽晶浸渍于 石英坩埚内熔融的硅中并拉提使单晶成长的切克老斯基法(Czochmlski 法)(以下称"CZ法")来获得，但在单晶育成时会在结晶内引入被称为 Grown-in缺陷的微细缺陷。该Grown-in缺陷与单晶育成时的拉提速度和凝固后的单晶内温度分 布...
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