技术编号：8113386
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明是关于制造III族氮化物晶体的方法，其涉及制造具有除 {0001}以外的任意指定的面取向的主面的III族氮化物晶体的方法。背景技术通常，适用于包括发光器件的半导体电子器件和半导体传感器中 的in族氮化物晶体通过下述方法制造根据诸如氢化物气相外延 (HVPE)或金属有机化学气相淀积(MOCVD)之类的气相技术，或者通过 助熔剂生长法或其他液相技术，使晶体在具有(0001)面的主面的蓝宝石 衬底上或在具有(111)A面的主面的GaAs衬底上生长。因此，通常获得 的111族氮化物晶体具有面取向为{0001}...
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