技术编号：8114431
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种用于x射线管焦斑参数控制的设备及方法，具体而言，涉及基于对杂散电子的探测而进行的焦斑尺寸和位置控制，从而使得可以确定焦斑的状态和情况，并且可以实施对焦斑的快速控制以改善x射线管 操作的效率。背景技术在X射线管中，约40%的撞击阳极的电子被反射(杂散的)。这些撞击 X射线管内任何给定区域的杂散电子的数量变化相当大。原因可能(例如) 为焦斑参数与最佳焦斑参数之间的偏差，其中，所述焦斑参数可以是焦斑 尺寸或者焦斑位置。在x射线检査装置的许多应用中，在诸如计算机断层 成像(CT)扫描的检査过程期间，针...
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