技术编号：8115574
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及生产单晶的方法。特别地，本发明涉及在横跨与浮区 法中的生长方向基本垂直的截面平面上具有均匀电阻率的硅单晶的生 产方法。本发明也涉及用于实施所述方法的设备。背景技术半导体材料例如硅的单晶棒通常使用两种通用方法(Czochralski (CZ)方法或浮区(FZ)方法)中的一种制得。这些都是公知 的且依靠在熔融材料再凝固期间的单晶形成。然而，这两种方法都不 是完美的，因为控制熔融和固体材料之间的界面中的结晶是成问题的。 对于掺杂有磷或硼的硅而言尤其如此。对由晶体结构中不存在位错或 误差的单晶棒索生产的晶...
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