技术编号:8116625
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及由3~5族氮化物系化合物半导体构成的发光二极管以及半导体激光等发光装置,以及在电子装置中用的氮化镓(GaN)单晶基板结晶的掺杂氧的方法。在基板上,在外延成长的GaN薄膜成长及GaN大块结晶成长时,往GaN结晶本体掺杂杂质。与氮化物系化合物半导体一样表现的是,它层压的薄膜不仅是GaN薄膜,而且,是往里添加In、P、As......等成分的三元混晶膜、四元混晶膜等层压膜。发光活性层是GaInN。而主体是GaN。因还有其他成分,所以,与氮化物系一起正确加以叙述。因此,在以后的叙述中,GaN系装置或GaI...
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