技术编号：8117721
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于晶体硅制造技术领域，涉及一种含有下转换发光量子点的晶体硅制备方法，本发明还涉及该种方法制备的含有下转换发光量子点的晶体硅。背景技术太阳电池可以直接将光能转化为电能，是一种可以有效利用太阳能的方式，也是重要的可再生清洁能源。近十年来，在快速发展的光伏产业中，高效率及低成本一直是两个主要竞争点，晶体硅作为当前最主要的太阳能电池材料，凭借其电池的高效稳定一直占据着光伏市场的大部分份额。目前限制晶体硅太阳电池大规模应用的主要障碍仍然是其较高的成本，所以不断提高晶体硅太阳电池的转换效率并降低成本一直是工业界...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。