技术编号:8117830
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明屈于半导体分离技术领域,特别是涉及生产、分离单晶硅时的一种利用氮-氩混合气体除杂技术.背景技术目前我国单晶硅棒(碇)的生产办法基本上还是用传统的单晶炉直拉式来生产单晶硅棒(碇)的,用单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质,这当中就有氧、碳、氮、氢和一些金屈元素杂质,其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质,在晶体生长过程中氧杂质主要是硅熔体与石英坩埚作用生成的,其机理为在硅的熔点附近,高温的硅熔体(1420°C )和石英坩埚反应,其反应方程式如下Si+Si02 — 2Si0生成的SiO进入到硅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。