技术编号:8119363
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及P型Zn0纳米线的制备技术,砷掺杂制备p型Zn0纳米线的方 法,属于半导体材料领域,特别涉及一种采用化学气相沉积方法利用砷的化合 物做为掺杂源,进行P型ZnO纳米线的制备方法。 背景技术ZnO是继GaN之后又一新型的宽带隙半导体材料,具有较GaN材料更高的 激子束缚能,可以在室温甚至于更高温度下实现高效的与激子相关的发射。 与体材料或薄膜材料相比,ZnO纳米线由于其在维度上受限,使激子束缚能 进一步增加,使其具有更高效的激子发射性能。为了实现其光电器件的应用, p型ZnO纳米线的掺杂成为目前最重要...
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