技术编号:8119477
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及硅反外延片的制造方法,具体而言,是高压PIN开关管用硅反外延片 的制造方法及其专用设备。二背景技术硅外延是这样一种技术,其生长的原子以单晶方式有序地排列在衬底表面且生长 层的晶体结构与衬底完全相同。应用这项技术的最重要的原因是外延层中的杂质易与 控制。高压PIN开关管所用外延材料要求平区电阻率大于1000Qcm,过渡区宽度小 于0.8ixm,而且所用衬底为电阻率小于l(T3QCm的N+型衬底。众所周知,用常规 的外延方法是难以达到以上要求的,在N+衬底上生长这样高电阻率的外延层也是极 其困难的。也...
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