技术编号：8120015
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体低维、薄膜材料制备领域，特别是涉及一种由绝缘衬底上超薄六方相碳化娃膜外延石烯的方法背享技术石墨烯Grap h e n e是种由单层或数层c低于10o层碳原子组成的薄片， 这样的—维石黑 耍薄片被证实有许多超强属性，如它的电子在亚微米距离中以弹道方式输运，不会有任何的散射員有非常吸引人的导电能力这为制造超性台匕曰 冃匕曰曰体管提供了条件石黑 歪烯晶体管可以在室温下工作，有预曰石黑 耍烯薄膜可能最终替代硅，因为石黑 蛮烯晶体管比娃管更高效，更快而耗能更低石墨烯女厶半导体行业带来了 一个新的机遇当...
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