技术编号：8120035
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体技术，特别涉及-设备。-种射频匹配方法及装置、具有其的等离子体背景技术在半导体制备工艺中，等离子体被广泛应用于半导体器件的生产过程中。在等离子体刻蚀系统中，射频电源向等离子腔体供电以产生等离子体。在等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和置于腔体并曝露在等离子体环境下的晶片相互作用从而，使晶片材料表面发生各种物理和化学反应，进而使材料表面性能发生变化，完成晶片的刻蚀或者其他工艺过程。现今常用的射频电源的工作频率为13. 56MHz，输出阻抗为50 ...
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