技术编号:8120059
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及单晶硅生产拉晶过程中的一种工艺方法,尤其是降低单晶硅内部气孔的生产方法。背景技术单晶硅的生产一般都需要用单晶炉来生产,单晶炉内设有石英坩埚和加热系 统,石英坩埚放置在与转动机构相配装的埚托上,可实现旋转。目前,单晶硅生产拉 晶过程一般包括以下工艺步骤清扫料仓一装料一抽真空一充氩气一加热化料一坩埚旋 转一单晶引颈一放肩一转肩一等径一收尾一冷却一拆炉一检测等。在开始工作时,先对 炉内的料仓清理干净,再将多晶硅固体放置于石英坩埚内,关闭炉门后开启真空泵对炉 内进行抽真空,开启氩气阀门向炉内充氩气,此时真...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。