技术编号：8120726
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明主要涉及in-v族、n-vi族以及相关的单晶化合物的生长的系统和方法，尤其涉及用于生长这种具有减少的体嵌晶(body lineage)的化合 物的系统和方法。背景技术电子和光电器件制造商通常需要可商业化生长的、大面积且均匀的单 个半导体晶体，其经过切片及抛光后，能够作为制造樣i电子器件的基片。 半导体晶体的生长包括将多晶原材料加热至熔点(通常超过1200°C )以形 成多晶原材料的熔体，使熔体与高质量的籽晶接触，从而使得熔体在与籽 晶接触时发生结晶。熔体的结晶形成沿垂直轴向的基本为圆柱状的晶体 (晶锭...
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