技术编号:8121182
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种制备低缺陷大面积硅(100)- 2 χ 1重构表面的方法。 背景技术随着科技的飞速发展,电子器件的集成度越来越高,传统的电子器件越来越小,随之而来的,就是量子效应的限制,小尺度的电子器件,不能再用经典的半导体理论来描述。 这就需要构筑尺寸更小的分子器件。而半导体表面的研究一直是半导体物理中极为活跃的一个领域。硅(100)面是硅最重要的低指数面之一。因此在硅(100)表面形成分子级大面积有序分子器件成为人们关注的焦点,并且可以实现与传统半导体产业的兼容。基于硅(100)- 2 X 1重构表面特有...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。