技术编号：8121195
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及发光材料领域，具体涉及一种多层复合稀土配合物晶体及其制备方法和应用。 近几十年来，利用晶体外延生长技术来生长具有单层或多层膜结构的单晶薄膜材料在半导体器件、集成光学、红外技术和激光技术等方面得到了广泛的应用。与之相类似， 利用不同稀土离子间容易形成异质同晶结构的特性，在合适的条件下，沿一种稀土配合物特定的结晶轴方向，继续生长晶格结构相同的另一种稀土配合物，不同层的配合物间各自产生不同颜色的发光，从而得到一种新型的多层复合发光的异质同晶型多稀土配合物单一晶体材料。本发明的目的在于克服现有的多组分发光...
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