技术编号：8121302
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种等离子体产生与控制技术，尤其涉及一种射频匹配方法及等离子体处 理设备。背景技术在RF(射频)等离子体发生装置中，恒定输出阻抗(通常为50Q)的射频发生器产生固 定频率(通常为13.56MHz)的射频波，向等离子体腔室提供射频功率，以激发用于刻蚀或 其他工艺的等离子体。 一般来讲，等离子体腔室的非线性负载的阻抗与射频发生器的恒定 输出阻抗并不相等，故在射频发生器和等离子体腔室之间具有严重的阻抗失配，使得射频 传输线上存在较大的反射功率，射频发生器产生的功率无法全部输送给等离子体腔室。如图1所示，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。