技术编号：8121646
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于一种金属等离子体源，具体涉及一种用于材料表面处理的等 离子体源。技术背景在金属或非金属表面沉积装饰或功能薄膜近年来发展迅速，人们对装饰 和功能薄膜的要求日益提高。真空阴极弧放电作为金属等离子体产生的一种 主要手段，目前广泛应用于功能和装饰镀膜上。但是，真空阴极弧放电在产 生金属等离子体的同时伴随有液滴或大颗粒的产生，用常规小多弧靶放电产 生的金属等离子体由于直接面对被处理工件，导致液滴或大颗粒也沉积在工 件表面，从而降低了薄膜的致密性、膜基结合力以及薄膜的光亮度等性能。 因此，人们尝试用不同的方法...
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