技术编号:8121702
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明是有关于半导体制造装置、半导体制造方法及电子机器,特别 是有关于在不使用氧化剂之下制造半导体晶圓的半导体制造装置、半导体 制造方法及电子机器。背景技术以往通过等离子CVD在半导体组件上形成多孔性低介电率膜(Low-k 膜)时, 一般都采用具曱氧基或乙氧基的曱基硅烷气体或曱基硅烷气体的 反应气体。此外,通过等离子CVD在半导体组件上形成铜膜绝缘物阻隔膜时,一 般都采用组合曱基硅烷气体和N20气体而成的反应气体。发明内容但上述反应气体的问题在于,多孔性低介电率膜和绝缘物阻隔膜,都 只能限定性的降低介电率,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。