技术编号：8121976
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明关于一种制造方法，特别是关于一种制造一硅晶圆的方法。背景技术众所周知，半导体元件的效能深受存在于半导体材料内的杂质浓度影响。以太阳能电池为例，若靠近太阳能电池基板表面(例如，硅晶圆)的金属杂质浓度太高，将影响太阳能电池本身的效能。太阳能电池由于制作方法简便，并且容易被大量生产，因此极具竞争力。硅基材太阳能电池市场中，约有65%的比例属于多晶硅太阳能电池，主要原因如下(1)多晶硅材料对硅原料纯度的要求较单晶材料低；(2)原料较易取得；以及(3)多晶硅材料的长晶效率较高，并且所需的人力、能耗及物料都较单晶...
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