技术编号：8122069
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种。背景技术在现有的硅单晶的生产工艺中，如何选择合适的原料以及计算掺杂比例， 是最重要的技术关键点。需要在长期的生产中累积经验，才能提高产品的合格 率，使产品的各项参数符合要求。并且，用作掺杂剂的母合金的配方、母合金 与原料之间的配比，这些参数都不是固定的，均需根据实际情况进行调整。在目前的工艺中，作为原料的N型多晶硅的电阻率一般在0.01 0.5Qcm 范围内，若电阻小于此范围，则在掺杂比例的计算十分复杂，很难控制产品的 合格率。发明内容本发明的目的在于提供一种，采用此方法的原料选择范 围较广...
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