技术编号：8122133
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种非极性ZnO薄膜的生长方法。 背景技术氧化锌(ZnO)是一种新型的直接带隙宽禁带半导体材料，是新一代高效、 节能白光照明产业的重要基础材料，已成为国际研究的热点。ZnO室温下禁带 宽度为3.37eV，激子束缚能高达60 meV，可以实现室温或高温下高校的激子复 合发光，与电子-空穴对复合发光相比，发光强度更高，激发阈值更低，是一种 完全可以和GaN相媲美而且可能替代GaN的光电功能材料。但到目前为止，己 报道的ZnO基发光二极管(LED)的发光效率都很低，亮度也很弱。要使ZnO 发光器件走向实...
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