技术编号:8122705
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及单结晶硅制造装置,特别涉及利用FZ法使单结晶成长的单结晶硅制造装置。本申请对在2007年12月25日提出的日本专利申请第2007-331548号主张优先权,并在这里引用其内容。背景技术以往,作为这种使用FZ (悬浮区熔)法的单结晶硅制造装置,已知有在特开平7-10681号公报中所示的装置。该单结晶硅制造装置具有内部为非活性环境的壳体、设置在壳体内的上部驱动轴(定位杆)上而在下端部上保持作为试料的多结晶硅棒的多结晶保持器、设置在下部驱动轴(定位杆)上而在上端部保持硅单结晶的晶种的晶种保持器、和设在壳...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。