技术编号：8122760
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及。更具体而言，本发明涉及一种在芯棒上通过热沉积法使半导体材料生长而制造所述半导体材料棒材的方法。 背景技术化学气相沉积法目前已广泛应用于制造半导体材料棒材，比如多晶硅棒材，其中 以西门子法多晶硅棒材的生产方法最为典型。 根据该西门子法多晶硅的生产方法，将直径7-10mm细的高纯硅芯(硅芯棒)安置 在钟形还原炉内，在硅芯上直接通入电流而对其进行加热，使硅芯温度保持在800-1200°C ， 然后将一定比例的氢气和硅化合物混合气通入还原炉内，通过使氢气和硅化合物的气相化 学反应而生成的硅沉积在炽热的硅...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。