技术编号：8122931
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及铝酸锂晶体，特别是一种用提拉法生长铝酸锂晶体的装置。背景技术近年来，铝酸锂晶体因在其上可以外延获得非极性的GaN薄膜及器件而 引起了研究人员很大兴趣。但是，采用传统提拉法生长铝酸锂晶体过程 中往往伴随着严重的熔体组分挥发，晶体偏离化学计量比比较严重，使 晶体出现失透、开裂等现象，晶体质量受到影响且难以长长；另外在晶 体生长降温过程中产生的热应力会使得晶体在降温过程中炸裂或在切片 加工中出现晶片曲翘甚至开裂等现象。传统提拉炉装置见图l，图中1 一炉壁、4一保温罩上盖、5—籽晶杆、6—氧化锆保温罩、8...
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