技术编号:8123560
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及背景技术半导体硅单晶大部分采用切克劳斯基(Czochralski)法制造。在这种方法中,多晶硅被装进石英坩埚内,加热熔化,然后将熔硅略作降温,给予一定的过冷度,把一支特定晶向的硅单晶体(称作籽晶)与熔体硅接触,通过调整熔体的温度和籽晶向上提升速度,使籽晶体长大至接近目标直径时,提高提升速度,使单晶体接近恒定直径生长。在生长过程的末期,此时坩埚内的硅熔体尚未完全消失,通过增加晶体的提升速度和调整向坩埚提供的热量将晶体直径渐渐减小而形成一个尾形锥体,当锥体的尖端足够小时,晶体就会与熔体脱离,从而完成晶...
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